RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
74
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
74
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
8.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
1849
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link