RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
74
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
74
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1849
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link