RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
74
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
74
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
1849
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link