RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
65
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
15.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3716
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link