RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.6
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3716
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link