RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
65
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
12.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3209
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link