RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
65
Autour de -132% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3209
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link