RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
65
Rund um -183% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
13.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
3195
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link