RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
65
Autour de -183% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3195
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link