RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
65
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
6.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
2312
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link