RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
65
Autour de -132% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.9
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2312
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link