RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
13.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2312
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link