RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Einen Fehler melden
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
2890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link