RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
27
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link