RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link