RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
30
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3188
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link