RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
30
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3188
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link