RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3188
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link