RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
43
Rund um -95% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
43
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,987.5
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,160.7
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
957
3075
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link