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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
43
左右 -95% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
22
读取速度,GB/s
5,987.5
17.7
写入速度,GB/s
2,160.7
12.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
3075
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM的比较
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
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