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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Compara
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
43
En -95% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
22
Velocidad de lectura, GB/s
5,987.5
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
957
3075
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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