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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
25
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
6.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2239
2256
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
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