RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
25
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
12.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
6.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2239
2256
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Corsair CMD8GX3M2A2133C9 4GB
Corsair CMZ8GX3M2X1600C7 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link