RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparez
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Note globale
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de -4% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2239
2256
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaison des RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link