RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.6
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
12.7
Скорость записи, Гб/сек
8.6
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2239
2256
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link