RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
40
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2078
2430
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5474-041.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link