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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
40
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2078
2430
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
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