RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Vergleichen Sie
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gesamtnote
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.1
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
7.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
12800
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
969
1920
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link