RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.8
7.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
4.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.1
11.8
Скорость записи, Гб/сек
4.2
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
12800
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
969
1920
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link