RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

総合得点
star star star star star
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB 考慮すべき理由
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 28
    周辺 4% 低遅延
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.8 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 4.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    7.1 left arrow 11.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    4.2 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    969 left arrow 1920

Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB RAMの比較

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAMの比較

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
メモリRAM
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
メモリRAM
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
メモリRAM