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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
48
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
11.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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