Comparaison de la RAM Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Note globale

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

17.5 15.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 21300

Autour de 1.2% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

39 48

Autour de -23% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.5 8.3

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2196 2264

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns