Comparación de la memoria RAM Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Puntuación global

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.5 15.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 21300

En 1.2% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

39 48

En -23% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.5 8.3

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2196 2264

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns