Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

総合得点

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

総合得点

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

17.5 15.5

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 21300

周辺 1.2% 高帯域

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

39 48

周辺 -23% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

11.5 8.3

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

48 39
読み出し速度、GB/s

17.5 15.5
書き込み速度、GB/秒

8.3 11.5
メモリ帯域幅、mbps

25600 21300

Other

商品説明

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2196 2264

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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