RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
51
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
22.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3731
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link