RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
51
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
22.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.0
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3731
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link