RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
51
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
17
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3731
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link