RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
51
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
17
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
22.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3731
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link