RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
41
Rund um -86% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.7
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
12.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1335
3036
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link