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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
41
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
10.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
41
22
Velocidade de leitura, GB/s
10.7
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1335
3036
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparações de RAM
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
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