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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Confronto
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
41
Intorno -86% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.8
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
22
Velocità di lettura, GB/s
10.7
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1335
3036
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Confronto tra le RAM
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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