RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Comparez
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Note globale
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
41
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
22
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1335
3036
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link