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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
11.7
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2382
2962
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
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CAS Latency (CL) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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