RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Porównaj
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2382
2962
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Mushkin 991763 (996763) 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link