Comparación de la memoria RAM Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Puntuación global

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 34

En 18% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.3 12.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.7 9.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 19200

En 1.11 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2382 2962

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns