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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Comparez
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Note globale
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2382
2962
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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