RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
92
Rund um -171% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
12.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
2616
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link