RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
92
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2616
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link