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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
比较
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
总分
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
92
左右 -171% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,266.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
92
34
读取速度,GB/s
2,105.4
16.4
写入速度,GB/s
1,266.1
12.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
339
2616
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
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