RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gesamtnote
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
78
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
6.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
78
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
6.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2292
1584
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link