Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Gesamtnote
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    51 left arrow 64
    Rund um -25% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.6 left arrow 4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.8 left arrow 2,256.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    64 left arrow 51
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,651.3 left arrow 9.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,256.8 left arrow 7.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    837 left arrow 2248
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RAM 2

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