RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
64
Около -25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
2,256.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
51
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
9.6
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2248
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link